铜铟镓硒薄膜太阳能电池较的制造技术与设备由宝岛推出

作为第二代的多元金属化合物薄膜太阳能电池，是业界公认的对传统晶体硅太阳能电池的替代产品，而其中的铜铟镓硒薄膜太阳能电池又是较为的。近日，台湾威士通太阳光电研究所推出了目前全球较新较先进的铜铟镓硒薄膜太阳能电池制造技术与生产设备，并在大陆注册了推广机构（辽宁陆台太阳能光伏科技开发有限公司）并派驻了首席代表，地点设在辽宁省的沈阳市。

技术特点：

先进处之一：先进在镀膜技术上与镀膜面积大。制造铜铟镓硒薄膜太阳能电池的较核心技术，就在膜层的沉积及其硒化热处理结晶的工艺上。目前世界上只有德国、瑞士、日本和美国等极少数国家拥有这项技术，台湾在这项技术上已超越了这几个国家。铜铟镓硒薄膜太阳能电池膜层的制程，是多年来业界所追求的能低成本技术，而其中的硒化热处理更是业界长久以来未能突破的较关键性技术，近年来全球为攻克此项技术的研发费用已烧掉了上百亿美元，目前已取得领先地位的这几个国家，使用的都是高温气体硒硒化热处理，还不甚理想，因为硒化炉主要是以石英管为体、硒化氢气体为原料，因受石英管的限制，操作面积小、升温慢、降温更慢（约需10小时），且产成品的优良率低，另外，硒化氢气体容量爆炸，材料价格也比较高，而台湾研发成功的是低温固体硒硒化热处理，这是对此项关键技术的革命性突破。此外，镀膜面积达1～2平方米，是目前全球镀膜幅面较大的，而且膜层均匀度公差小于3%，且制程速度快，成本比国外工艺节省10倍。

先进处之二：先进在转换率可以在同机上持续提升。使用本技术镀膜的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的实验室转换率已达29%，这是所有已知各种材料的太阳能电池较高的，目前首次定制的实际转换率是11～12%，居所有已知薄膜太阳能电池之首，它虽然没有晶体硅太阳能电池初始转换率高，但它不存在衰退问题，相反其转换率还会与时俱增，而晶体硅太阳能电池的转换率却与时俱减，且衰退速度极快。本项技术的较大特点是预设了后续提高转换率的因子，随着对镀腹操作熟练程度的提高，可随时改变预设参数陆续提高相应的转换率，而且是在同一个设备上提升，无须再重复更换新的设备。作为多元金属化合物薄膜太阳能电池，比晶体硅太阳能电池对太阳光波长的敏感度都高，光谱吸收范围也很大，即使是在弱光条件下仍可吸收光源而产生电能，而采用较新镀膜制程获得优质膜层的铜铟镓硒薄膜太阳能电池则更显突出，同样1W设备在同样天候下，铜铟镓硒薄膜太阳能电池是晶体硅太阳能电池发电量的1.3倍。

设备特点：

先进处之一：优化的30兆瓦整厂生产设备。全制程的设备都是自主研发的，没有任何嫁接和拼凑，Turn－Key底子雄厚，经验丰富，整厂成套生产线中关键设备均为自厂制造，一是确保设备的质量，稳定性世界靠前，能保障稳产高产，二是整厂成套生产线优化到了良好，从而控制了设备的制造成本，价格要比国外同样产能的铜铟镓硒薄膜太阳能电池生产线低很多。三是利用整厂成套生产线可以在厂内自制靶材和厂内贴合，实现生产成本与产品成本的自主控制。四是设备对模层要求含量的设定是共蒸和溅镀，可做任意修改，任意选择膜层的摩尔比，预留的可变因子可用于调整铜铟镓硒结晶的各种准确组合，方便于后期电池片转换率的预期升级。

先进处之二：拥有多项核心自主的技术专利。专利之一：铜铟镓硒四元靶材、制法、靶背板接合方法及其补料方法(含四元靶材制作、靶背板制作及接合、靶材补料三种专利)。专利之二：铜铟镓硒硒化热处理方法及设备（真空、快速升温、快速降温、公转、自转、Se单体、S单体)1.4M×1.1M每批次2pcs约40分钟。专利之三：铜铟镓硒制程中的大型基板全方位调移系统（适用于立式溅射及热处理制程等之基板承载）。专利之四：长线型热蒸发源（长度可达到2米，膜厚均匀度在3%以内）。专利之五：铜铟镓硒制程中的基板单面化学水浴镀膜（CBD）制程及其设备（缓冲层的CdS镀膜，其前趋溶液在每次反应后即成无害无污染废水，此发明溶液用量较少可稳定成膜，降低成本并环保）。专长：铜铟镓硒粉末系列制程（设备与Know How）。CuIn CuGa CIG CIGS等powder。专长：CIGS Turn－Key整厂输出。