氧化铟锡靶材ITO磁控溅射靶材

科研实验专项使用氧化铟锡靶材ITO磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料

产品介绍

ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标：电阻率和透光率。多用于触控面板、触摸屏、冷光片等。

产品参数

中文名 氧化铟锡 化学式 In2O3-SnO2

分子量 428.343 熔点 287℃

密度 1.2g/ml 纯度 99.99%

强烈建议陶瓷化合物靶材绑定背靶使用。陶瓷靶材质脆，受热不均匀易裂。不建议超过3mm。 推荐绑定铜背靶，以增强导热导电性。减少靶材碎裂的可能。 陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生裂靶情况，绑定背靶后，可以提高化合物靶材的导热性能，提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率，从而提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！

可根据您的要求定制各类特殊合金靶材，各种合金配比、靶材形状（平面靶、多弧靶、旋转靶及其它异形靶材）、尺寸规格均可定制。欢迎咨询。

北京晶迈中科材料技术有限公司创建于2016年,是国内有色金属行业综合性研究开发公司。 现有员工100余人。我公司光学镀膜材料中心以国内的技术，多年来一直有经验从事光学镀膜材料及溅射靶材的研发与生产。靶材包括各种氧化物、硫化物、氟化物、碲化物、硒化物、硼化物、复合物、金属及合金等，也可根据您的要求量身定做。通过严格控制生产、并持续改进、稳步发展，致力为客户提供的产品。 公司现有靶材热压炉；真空蒸馏装置，电解槽，单晶炉，区熔装置，CVD（化学气象沉积）装置，PVD（物理气象沉积）装置，移动式加热装置等多种高纯金属和化合物生产研发设备；提纯工艺包括：真空蒸馏；精馏；区域熔炼；电解；化学气象沉积；物理气象沉积；热扩散；单晶提拉法等。纯度从99.9%-99.99999%,公司先后研发的蒸发材料、溅射靶材系列产品，产品涉及工具/装饰镀膜、玻璃镀膜、光学镀膜、平面显示/触摸屏镀膜、薄膜太阳能镀膜等多个领域广泛应用到国内外众多知名太阳能、航空航天、生物健康、军工微电子、信息储存、汽车、船舶、装饰、工业镀膜、新能源企业当中。 自有设备：真空热压炉，真空中频感应熔炼炉，冷坩埚悬浮熔炼炉，非自耗真空电弧炉，真空高温加热炉，真空烧结炉，真空蒸馏炉，定向凝固，区域熔炼炉，多温区加热炉，单晶炉，高温烧结炉，单温区，双温区、多温区液相、气相合成炉、氧化炉、加工设备。 北京晶迈中科材料技术有限公司几年来已先后与国内几十家知名高校、中科院等研究院所建立了长期友好的合作关系，并与这些科研单位有密切的学术交流和技术合作项目，并远销欧洲、美国、日本、韩国等，在镀膜行业拥有良好的声誉。

主营行业：化工原料、辅料//碎玻璃 其它//其它 公司注册地址：北京市通州区张家湾镇北大化村东2幢二层B2256 法人代表：李大为
员工人数：10-50人 厂房面积： 年营业额：人民币100万元/年-人民币200万元/年
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